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	等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)系統(tǒng)是一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù),結(jié)合了等離子體和原子層沉積(ALD)的優(yōu)點(diǎn),以實(shí)現(xiàn)更高的薄膜質(zhì)量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。PEALD系統(tǒng)在微電子、光電器件、表面工程等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。
產(chǎn)品特點(diǎn):
	1.等離子體增強(qiáng)反應(yīng):
PEALD系統(tǒng)通過(guò)引入等離子體來(lái)激發(fā)反應(yīng)氣體,使得在較低溫度下即可實(shí)現(xiàn)薄膜的沉積。這使得PEALD系統(tǒng)特別適合用于沉積對(duì)溫度敏感的材料,如有機(jī)物或柔性基板上的薄膜。
	2.更高的薄膜密度與純度:
由于等離子體能夠提供高能量的反應(yīng)物質(zhì),PEALD系統(tǒng)可以在較低溫度下沉積出高密度、高純度的薄膜,減少了薄膜中的缺陷和雜質(zhì)。
	3.優(yōu)異的膜厚均勻性:
PEALD保留了傳統(tǒng)ALD的優(yōu)勢(shì),能夠在復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和高縱橫比的基板上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜覆蓋,這在器件微縮和納米結(jié)構(gòu)制造中尤為重要。
	4.靈活的工藝控制:
PEALD系統(tǒng)允許獨(dú)立控制等離子體生成和ALD前驅(qū)體脈沖的時(shí)間,提供了極大的工藝靈活性。通過(guò)調(diào)節(jié)等離子體功率、時(shí)間和氣體流量,可以?xún)?yōu)化不同材料的沉積條件。
	5.廣泛的材料兼容性:
PEALD系統(tǒng)適用于沉積各種材料,包括氧化物、氮化物、硫化物、金屬等,特別適合沉積氮化硅(SiNx)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)等材料。
	6.低溫沉積:
與傳統(tǒng)的熱ALD系統(tǒng)相比,PEALD能夠在較低溫度下沉積高質(zhì)量的薄膜,這對(duì)于在溫度敏感基板(如聚合物基板)上的應(yīng)用至關(guān)重要。
	
技術(shù)參數(shù):
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				 型號(hào)  | 
			
				 CY-PEALD-150R  | 
		
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				 反應(yīng)腔  | 
			
				 可以生長(zhǎng)*大 6 英寸樣品的標(biāo)準(zhǔn)腔體,標(biāo)準(zhǔn)*大樣品高度 6mm;(超高樣品選件可按用戶(hù)要求定制,為可選件),DualOTM 氮?dú)獗Wo(hù)的雙O-Ring 高溫密封系統(tǒng),隔絕其他氣體滲漏?;准訜釡囟?/span> RT-400℃可控,控制精度±1℃;腔體烘烤溫度 RT-200℃可控,控制精度±1℃  | 
		
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				 沉積模式  | 
			
				 包括以下 3 種工作模式: 高速沉積的連續(xù)模式 TM (Flow TM ) 沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式TM(StopFlow TM ) 等離子體增強(qiáng)模式  | 
		
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				 前驅(qū)體源  | 
			
				 共 5 路前驅(qū)體源;1 路為常溫源,4 路為加熱源,加熱溫度 RT-200℃可控,控制精度±1℃;加熱源配備高溫手動(dòng)閥;標(biāo)準(zhǔn)前驅(qū)體源瓶體積 50cc。 1 路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S 源等,制備氧化物,氮化物和硫化物。任意一路加熱源可接相關(guān)前驅(qū)體源。  | 
		
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				 前驅(qū)體管路  | 
			
				 所有前驅(qū)體管路全部采用 316L 不銹鋼 EP 級(jí)管路,所有管路加熱溫度RT-150℃可控。  | 
		
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				 ALD 閥  | 
			
				 每一路前驅(qū)體配置一個(gè)原子層沉積專(zhuān)用高速高溫 ALD 閥;ALD 閥采用系統(tǒng)集成的表面安裝,維修更換時(shí)可以用盲板代替;閥體加熱溫度RT-150℃可控  | 
		
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				 真空規(guī)  | 
			
				 進(jìn)口寬范圍真空規(guī),測(cè)量范圍 2x10-4 to 103torr  | 
		
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				 排氣管路  | 
			
				 排氣管路加熱溫度 RT-150℃可控;配置截止閥一個(gè),加熱溫度 RT-150℃可控。  | 
		
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				 臭氧發(fā)生器系統(tǒng)  | 
			
				 高濃度臭氧發(fā)生器,包括管路,裂解器附件;*高產(chǎn)量>15g/h,功率0~300W可調(diào),*大濃度>3.5%(w/w)  | 
		
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				 選配微波等 離子體系統(tǒng)  | 
			
				 自動(dòng)匹配微波等離子體源系統(tǒng); 包括:微波電源輸出功率 0 到 200W 可調(diào);超快速等離子體發(fā)生器*短可在 200ms 內(nèi)完成穩(wěn)定的等離子啟輝; 2路等離子體源, 一路為Ar配備質(zhì)量流量計(jì)(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體脈沖供氣,可任意切換。  | 
		
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				 控制硬件  | 
			
				 PLC 控制系統(tǒng)。  | 
		
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				 控制軟件  | 
			
				 autoALDTM專(zhuān)用軟件全自動(dòng)控制加熱、流量、等全部沉積過(guò)程,以及溫度、壓強(qiáng)等實(shí)時(shí)監(jiān)控。  | 
		
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				 真空機(jī)械泵  | 
			
				 型號(hào):TRP-6。  | 
		
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				 保修  | 
			
				 1 年免費(fèi)保修,自驗(yàn)收之日起。  | 
		
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				 安裝培訓(xùn)  | 
			
				 工程師現(xiàn)場(chǎng)安裝培訓(xùn)。  | 
		
主要部件:
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				 部件名稱(chēng)  | 
			
				 部件說(shuō)明  | 
		
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				 主機(jī)  | 
			
				 標(biāo)準(zhǔn)6 英寸原子層沉積系統(tǒng) 包括: 5路前驅(qū)體源, 包括管路、高溫ALD閥門(mén)、50ml 源瓶, 4路為加熱源,1路為常溫源 沉積自動(dòng)控制系統(tǒng), autoALDTM沉積程序控制軟件, 預(yù)裝Windows TM的筆記本電腦,  | 
		
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				 臭氧發(fā)生器系統(tǒng)  | 
			
				 高濃度臭氧發(fā)生器,包括管路,裂解器附件*高產(chǎn)量>15g/h,*大濃度>3.5%(w/w)  | 
		
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				 選配微波等離子 體系統(tǒng)  | 
			
				 自動(dòng)匹配微波等離子體源系統(tǒng); 包括:微波電源輸出功率 0 到200W 可調(diào);超快速等離子體發(fā)生器*短可在 200ms 內(nèi)完成穩(wěn)定的等離子啟輝; 2路等離子體源, 一路為Ar配備質(zhì)量流量計(jì)(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體脈沖供氣,可任意切 換。  | 
		
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				 真空機(jī)械泵系統(tǒng)  | 
			
				 機(jī)械泵與相關(guān)管路 真空機(jī)械泵型號(hào):北儀優(yōu)成 TRP-6  | 
		
應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 半導(dǎo)體制造
高k電介質(zhì)和金屬柵極:PEALD用于在晶體管中沉積高k材料(如HfO?、ZrO?),以及金屬柵極材料(如TiN),以提高器件性能,減少漏電流。
銅互連阻擋層和襯墊層:PEALD可以沉積低溫、高質(zhì)量的阻擋層(如TiN、TaN),用于防止銅在互連結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散。
鈍化層:在集成電路和其他微電子器件中,沉積鈍化層以保護(hù)器件表面免受外界環(huán)境的影響,延長(zhǎng)器件壽命。
2. 光電器件
太陽(yáng)能電池:PEALD在薄膜太陽(yáng)能電池(如CIGS、CdTe、硅基太陽(yáng)能電池)中沉積鈍化層或緩沖層(如Al?O?、ZnO),以提高光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
LED和OLED:用于發(fā)光二極管(LED)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中沉積透明導(dǎo)電氧化物(如ZnO、SnO?)或緩沖層,以提升發(fā)光效率和壽命。
3. 納米技術(shù)
納米結(jié)構(gòu)涂層:PEALD可以在復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)(如納米線、納米管、量子點(diǎn))上沉積均勻的薄膜,用于調(diào)控其電學(xué)、光學(xué)和機(jī)械性能。
納米器件制造:在制造納米級(jí)別的電子和光子器件中,PEALD提供了**的材料厚度控制,適合制作超薄的功能性層。
4. 表面工程和防護(hù)涂層
抗腐蝕涂層:在金屬表面沉積抗腐蝕涂層(如Al?O?、TiO?),用于提高材料在腐蝕性環(huán)境中的耐久性,廣泛應(yīng)用于航空航天、化工設(shè)備等領(lǐng)域。
生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用:在植入物和其他生物醫(yī)學(xué)器械上沉積生物相容性涂層,改善植入物與人體組織的相容性,減少排斥反應(yīng)。
5. 柔性電子
柔性顯示屏:PEALD在低溫下沉積高性能的薄膜,用于柔性顯示屏(如OLED、電子紙)中的電極或保護(hù)層。
可穿戴設(shè)備:用于沉積薄膜保護(hù)層或功能層,以增強(qiáng)柔性和可穿戴設(shè)備的耐用性和性能。
6. 能源存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)換
鋰離子電池:PEALD在電極材料(如LiCoO?、LiNiMnCoO?)和電解質(zhì)界面沉積保護(hù)層,以延長(zhǎng)電池壽命并提升充放電性能。
燃料電池和超級(jí)電容器:用于沉積催化劑層和保護(hù)層,提升燃料電池的效率和超級(jí)電容器的能量密度。
7. 傳感器技術(shù)
氣體傳感器:在傳感器的活性層或敏感層上沉積功能性薄膜(如ZnO、TiO?),以提高傳感器對(duì)特定氣體的檢測(cè)靈敏度和選擇性。
生物傳感器:用于沉積功能性薄膜,增強(qiáng)生物傳感器對(duì)目標(biāo)分子的識(shí)別和檢測(cè)能力。
8. 光學(xué)元件
抗反射涂層:在光學(xué)元件上沉積抗反射涂層(如SiO?、Al?O?),以減少光損失并提高透過(guò)率,廣泛應(yīng)用于光學(xué)儀器、攝像設(shè)備等。
濾光片和鏡頭:PEALD可以沉積**控制厚度的薄膜,用于制作濾光片、反射鏡等光學(xué)元件。
9. 顯示技術(shù)
薄膜晶體管(TFT):用于在液晶顯示器(LCD)、OLED顯示器中制造薄膜晶體管,提升顯示器的分辨率和性能。
觸摸屏技術(shù):在觸摸屏中,沉積透明導(dǎo)電薄膜(如ITO、ZnO),提高觸摸屏的導(dǎo)電性和耐用性。
應(yīng)用案例(在PET膜上沉積SiO2):
在PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜上使用等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)技術(shù)沉積二氧化硅(SiO?)的步驟需要特別注意溫度控制和等離子體條件,以確保對(duì)PET這種溫度敏感材料的保護(hù)
	
    
    
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            