RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作.

 RTP快速退火爐主要功能和特點(diǎn):

1、更短的工藝時(shí)間；

2、更快的升、降溫速率；

3、處理基片時(shí)雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)zui?。?/span>

4、減少顆粒沾污；

5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制.

RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：

1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。

2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會(huì)帶來另一個(gè)問題，生長溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。

3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。

RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	RTP快速退火爐【管式】
產(chǎn)品型號(hào)	CY-RTP1200-T4-H
有效尺寸	Φ100mm
基片尺寸	≦4英寸
升溫速率	B型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≦200℃/S,供電要求:AC380V/60Hz，功率18KW
降溫速率	200℃以上≤25min
控溫模式	可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫
控溫精度	±1℃
工作溫度	≦1000℃
測(cè)溫位置	測(cè)溫點(diǎn)置于樣品處
密封法蘭	水冷式
工作真空	10-3Pa～105Pa均可
可通氣氛	可通：氮?dú)?，氬氣，氧氣等非危險(xiǎn)、非腐蝕氣體
真空測(cè)量	標(biāo)準(zhǔn)配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa
	選裝配置：復(fù)合真空計(jì)，量程10-5Pa～105Pa
真空系統(tǒng)	標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD-4真空泵1臺(tái)
供電要求	要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC380V/60Hz
水冷機(jī)組	水箱容量9L，zui大揚(yáng)程10m
整機(jī)尺寸	1200mm x 610mm x 570mm
包裝尺寸	1475*700*800
包裝重量	180Kg
隨機(jī)配件	1、說明書1本
	2、隨機(jī)配件1套
	3、配件清單1份