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	原子層沉積(ALD)系統(tǒng)是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設(shè)備,具有原子級(jí)別的厚度控制能力。ALD系統(tǒng)通常用于半導(dǎo)體制造、納米技術(shù)、光電器件、以及其他高科技領(lǐng)域。
產(chǎn)品特點(diǎn):
	**的厚度控制:ALD通過交替引入不同的前驅(qū)體氣體,在基板表面進(jìn)行自限性反應(yīng),每次反應(yīng)只沉積一個(gè)原子層,確保了膜厚的原子級(jí)別**控制。
	均勻的薄膜覆蓋:該系統(tǒng)能夠在復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和高縱橫比的基板上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這在傳統(tǒng)的沉積方法中較為困難。
	廣泛的材料兼容性:ALD系統(tǒng)可以沉積多種材料,包括氧化物、氮化物、金屬和合金等,適應(yīng)不同的工藝需求。
	高質(zhì)量薄膜:沉積的薄膜具有高密度、低缺陷和優(yōu)良的電學(xué)和機(jī)械性能,適用于高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
溫和的工藝條件:ALD工藝通常在較低溫度下進(jìn)行,有利于在熱敏感材料或器件上沉積薄膜。
技術(shù)參數(shù):
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					 型號(hào)  | 
				
					 CY-200S-ALD  | 
			
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					 反應(yīng)腔  | 
				
					 可以生長(zhǎng)*大 8 英寸方形樣品的標(biāo)準(zhǔn)腔體,標(biāo)準(zhǔn)*大樣品高度 20mm;。 基底加熱溫度 RT-400℃可控,控制精度±1℃;腔體烘烤溫度 RT-200℃可控,控制精度±1℃  | 
			
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					 沉積模式  | 
				
					 包括以下 2 種工作模式: 高速沉積的連續(xù)模式 TM (Flow TM ) 沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式 TM (StopFlow TM )  | 
			
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					 前驅(qū)體源  | 
				
					 共 5 路前驅(qū)體源;1 路為常溫源,4 路為加熱源,加熱溫度 RT-200℃可控,控制精度±1℃;加熱源配備高溫手動(dòng)閥;標(biāo)準(zhǔn)前驅(qū)體源瓶體積 50cc。 1 路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S 源等,制備氧化物,氮化物和硫化物。任意一路加熱源可接相關(guān)前驅(qū)體源。  | 
			
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					 前驅(qū)體管路  | 
				
					 所有前驅(qū)體管路全部采用 316L 不銹鋼 EP 級(jí)管路,所有管路加熱溫度RT-150℃可控。  | 
			
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					 ALD 閥  | 
				
					 每一路前驅(qū)體配置一個(gè)原子層沉積專用高速高溫 ALD 閥;ALD 閥采用系統(tǒng)集成的表面安裝,維修更換時(shí)可以用盲板代替;閥體加熱溫度RT-150℃可控  | 
			
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					 真空規(guī)  | 
				
					 進(jìn)口寬范圍真空規(guī),測(cè)量范圍 2x10-4 to 10+3torr  | 
			
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					 排氣管路  | 
				
					 排氣管路加熱溫度 RT-150℃可控;配置截止閥一個(gè),加熱溫度 RT-150℃可控。  | 
			
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					 臭氧發(fā)生器系統(tǒng)  | 
				
					 高濃度臭氧發(fā)生器,包括管路,裂解器附件;*高產(chǎn)量>15g/h,功率0~300W可調(diào),*大濃度>3.5%(w/w)  | 
			
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					 升級(jí)接口  | 
				
					 升級(jí)6路前驅(qū)體源的升級(jí)接口; 用于原位升級(jí)微波等離子體源或者分子動(dòng)能系統(tǒng)的硬件軟件接口; 以上升級(jí)接口可以實(shí)現(xiàn)原位升級(jí),無需將設(shè)備返回廠家。  | 
			
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					 控制硬件  | 
				
					 PLC 控制系統(tǒng)。  | 
			
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					 控制軟件  | 
				
					 autoALDTM專用軟件全自動(dòng)控制加熱、流量、等全部沉積過程,以及溫度、壓強(qiáng)等實(shí)時(shí)監(jiān)控。  | 
			
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					 真空機(jī)械泵  | 
				
					 型號(hào):TRP-6。  | 
			
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					 保修  | 
				
					 1 年免費(fèi)保修,自驗(yàn)收之日起。  | 
			
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					 安裝培訓(xùn)  | 
				
					 工程師現(xiàn)場(chǎng)安裝培訓(xùn)。  | 
			
主要部件:
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					 部件名稱  | 
				
					 部件說明  | 
			
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					 主機(jī)  | 
				
					 8 英寸方形原子層沉積系統(tǒng) 包括: 5路前驅(qū)體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶, 4路為加熱源,1路為常溫源 沉積自動(dòng)控制系統(tǒng), autoALDTM沉積程序控制軟件, 預(yù)裝Windows TM的筆記本電腦,  | 
			
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					 臭氧發(fā)生器系統(tǒng)  | 
				
					 高濃度臭氧發(fā)生器,包括管路,裂解器附件*高產(chǎn)量>15g/h,*大濃度>3.5%(w/w)  | 
			
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					 高樣品腔蓋  | 
				
					 用于裝載高(適合高樣品高度 ≤ 20 mm)樣品  | 
			
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					 真空機(jī)械泵系統(tǒng)  | 
				
					 機(jī)械泵與相關(guān)管路 真空機(jī)械泵型號(hào):北儀優(yōu)成 TRP-6  | 
			
應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 半導(dǎo)體制造
柵極氧化物:用于制造先進(jìn)的半導(dǎo)體器件,如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
高k電介質(zhì):在集成電路中沉積高介電常數(shù)材料,以提高器件性能和降低漏電。
銅互連:通過沉積阻擋層和種子層,改善半導(dǎo)體芯片中的銅互連結(jié)構(gòu)。
2. 存儲(chǔ)器件
DRAM與閃存:在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和閃存(如3D NAND)中沉積高k材料和導(dǎo)電層,以提升存儲(chǔ)密度和性能。
3. 光電器件
太陽能電池:在薄膜太陽能電池中沉積透明導(dǎo)電氧化物或鈍化層,提升光電轉(zhuǎn)換效率。
LED和OLED:沉積發(fā)光層和電極材料,以提高有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和發(fā)光二極管(LED)的性能。
4. 納米技術(shù)
納米結(jié)構(gòu)涂層:在納米線、納米管等復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)上均勻沉積薄膜,優(yōu)化光學(xué)和電學(xué)特性。
量子點(diǎn)涂層:在量子點(diǎn)材料上沉積保護(hù)性或功能性薄膜,提高其穩(wěn)定性和效率。
5. 防護(hù)涂層
電子產(chǎn)品:在電子器件上沉積防潮、防腐蝕涂層,延長(zhǎng)使用壽命。
醫(yī)療器械:在生物材料和植入物上沉積生物相容性涂層,改善其與人體組織的相容性。
6. 催化劑制備
**催化劑層:通過控制催化劑層的厚度和分布,提升催化性能,廣泛應(yīng)用于化學(xué)反應(yīng)和能源轉(zhuǎn)化領(lǐng)域。
7. 能源存儲(chǔ)
電池電極:在鋰離子電池和超級(jí)電容器中沉積薄膜電極材料,提高能量密度和循環(huán)壽命。
燃料電池:用于燃料電池中電極和質(zhì)子交換膜的薄膜沉積,提升電池效率和耐久性。
8. 傳感器
氣體傳感器:在氣體傳感器上沉積敏感薄膜,提升其對(duì)目標(biāo)氣體的檢測(cè)靈敏度和選擇性。
生物傳感器:在生物傳感器上沉積功能性薄膜,增強(qiáng)對(duì)生物分子的識(shí)別和檢測(cè)能力。
9. 顯示技術(shù)
薄膜晶體管(TFT):在液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)中用于制造薄膜晶體管,改善顯示器性能。
觸摸屏:在觸摸屏中沉積導(dǎo)電薄膜,提升屏幕的電學(xué)性能和觸控靈敏度。
應(yīng)用案例(在硅片或者玻璃片上沉積Al2O3)
在硅片或玻璃片上使用原子層沉積(ALD)技術(shù)沉積氧化鋁(Al2O3)薄膜的過程通常包括以下步驟。該過程主要依賴于前驅(qū)體和反應(yīng)氣體的交替引入,以實(shí)現(xiàn)原子級(jí)別的薄膜生長(zhǎng)。
	
    
    
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            
                            