雙靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標準化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶有1英寸2英寸可以選擇，客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選購；所配電源為300W射頻電源加500W直流電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備，射頻電源可用于非金屬膜的制備，兩個靶可以滿足多層或者多次鍍膜的需要。若客戶有其他鍍膜需要，可以定制直流電源和脈沖電源，各型電源均有300W到1000W多種規(guī)格可選。

鍍膜儀具有兩路高精度質(zhì)量流量計，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路，以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標配先進的渦輪分子泵組，極限真空可達1.0E-5Pa，同時另有其他類型的分子泵可供選購。

另外本型號配置配有兩個高精度膜厚儀，能夠滿足鍍膜過程中膜厚檢測需要，若客戶有需要安裝多個膜厚儀的需要也可以和我公司技術(shù)人員進行定制。

    本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制，在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進一步提高您的實驗效率。

雙靶磁控濺射鍍膜儀適用范圍：

    該設(shè)備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。該雙靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備。

雙靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

項目		明細
產(chǎn)品型號		CY-MSV325- II-DCRF-SS
供電電壓		AC220V，50Hz
整機功率		2.5KW
系統(tǒng)真空		≦5×10-4Pa
樣品臺	外形尺寸	φ150mm
	加熱溫度	≦500℃
	控溫精度	±1℃
	可調(diào)轉(zhuǎn)速	≦20rpm
磁控靶槍	靶材尺寸	直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm
	冷卻模式	循環(huán)水冷
	水流大小	不小于10L/Min
真空腔體	腔體尺寸	直徑φ325mm，高度500mm
	腔體材質(zhì)	SUU304不銹鋼
	觀察窗口	直徑φ100mm
	開啟方式	頂開式
氣體控制		1路質(zhì)量流量計用于控制Ar流量，量程為:200SCCM
真空系統(tǒng)		配分子泵系統(tǒng)1套，氣體抽速600L/S
膜厚測量		可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ?
濺射電源		配射頻電源500W 直流電源500W
控制系統(tǒng)		CYKY自研專業(yè)級控制系統(tǒng)
設(shè)備尺寸		600mm × 650mm × 1280mm
設(shè)備重量		350kg